kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 nasa 路易斯研究中心, 60年代夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 aiaa 授予他 james h. wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了ir 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.
2016年, 美国 nasa 宇航局将 harold kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂
1978 年 kaufman & robinson, inc 公司成立
1978 年 dr. kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 kaufman & robinson, inc 公司, 简称 kri, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供*的解决方案.上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
kri 离子源主要产品
上海伯东美国 kri 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 等, kri 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含考夫曼离子源,霍尔离子源,射频离子源和电源控制器, 共计超过 25种规格, 累积销售 3500+ 台!
射频离子源rficp 系列技术规格:
型号
rficp 40
rficp 100
rficp 140
rficp 220
rficp 380
discharge 阳极
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
离子束流
>100 ma
>350 ma
>600 ma
>800 ma
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
4 cm φ
10 cm φ
14 cm φ
20 cm φ
30 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
lfn 2000
考夫曼离子源kdc 系列技术规格:
型号
kdc 10
kdc 40
kdc 75
kdc 100
kdc 160
discharge 阳极
dc 电流
dc 电流
dc 电流
dc 电流
dc 电流
离子束流
>10 ma
>100 ma
>250 ma
>400 ma
>650 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
1 cm φ
4 cm φ
7.5 cm φ
12 cm φ
16 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
1-5 sccm
2-10 sccm
2-15 sccm
2-20 sccm
2-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
11.5 cm
17.1 cm
20.1 cm
23.5 cm
25.2 cm
直径
4 cm
9 cm
14 cm
19.4 cm
23.2 cm
中和器
灯丝
霍尔离子源eh系列技术规格:
型号
eh 400
eh 1000
eh1000 xo2
eh 2000
eh 3000
cathode/neutralizer
f or hc
f or hc
f or hc
f or hc
hc
hc
hc
阳极电压
50-300v
30-150v
50-300v
30-150v
50-300v
100-300v
50-300v
30-150v
50-250v
50-250v
50-300v
50-250v
电流
5a
10a
10a
12a
5a
10a
10a
15a
15a
20a
10a
15a
散射角度
>45
>45
>45
>45
>45
气体流量
2-25sccm
2-50sccm
2-50sccm
2-75sccm
5-100sccm
高度
3.0“
4.0“
4.0“
4.0“
6.0“
直径
3.7“
5.7“
5.7“
5.7“
9.7“
水冷
可选
可选
可选
是
可选
kri离子源主要应用
作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 kri 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 kri 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜
离子清洗和溅射镀膜:射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜
在高倍显微镜下检视脱膜测试
测试结果
--------- 使用其他品牌离子源--- --------------------- 使用美国考夫曼 kri rficp 325 离子源 ----------------------
从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国kri 离子源, 样品无崩边
美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专li, 在此领域中, kri 离子源是gong认的, kri 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术论文,为推进宽波束设备和材料加工领域行业的知识体系做出贡献!
上海伯东是美国考夫曼离子源kaufman & robinson, inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 ibsd. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 rficp 射频电源式考夫曼离子源或是 kdc 直流电原式考夫曼离子源.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东：罗先生