金刚石具有*的硬度，热膨胀系数和摩擦系数低，电绝缘性能好，热导率和电介性高，它禁带宽，有波长范围很宽的透明性，声传播速度快,掺杂后具有半导体性质等，因此是一种颇有应用价值的材料。制备金刚石薄膜的方法很多，上海棱光技术有限公司紫外分光光度计，本文采用高纯氢稀释甲烷物质源，在266nm紫外激光聚焦照射下，在50~ 600七的n-si (111) 衬底表面.上获得了多晶金刚石膜，并采用xrd、rheed和sem技术研究了这些膜层的结构形态，结果表明:采用ul-cvd技术是获得金刚石多晶薄膜的可行途径。
图1为采用ul--cvd技术生长金刚石薄膜的实验装置示意图，为了有利于活化基团的产生及激活衬底表面，提高生长速率，本文采用相互垂直的、波长λ= 266nm的两束聚焦紫外光(见图1)分别照射到物质源及n-si (111)衬底上，聚焦光斑尺寸为5x 5mm2.物质源ch,用高纯氢稀释到0.5%，以100m1/ min的流速进入反应室中，严格控制喷嘴距衬底的距离为5mm，衬底温度控制在50~600c。为了促进金刚石的成核，衬底需事先经划痕加工.生长时间为1小时。